规格参数值：

IPSA70R600CE：

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 474pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 86W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 600毫欧 @ 1A，10V
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 IPAK（TO-251）
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak

IPS70R1K4CE：

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 225pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 53W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 1A，10V
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO251
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak

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