场效应晶体管IPA60R125P6    品牌：INFINEON/英飞凌

产品规格：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 960µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2660pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：34W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 11.6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO-220-FP

封装/外壳：TO-220-3 整包

【联系方式】

深圳市明佳达电子有限公司

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BCM20771A0KWFBG

BUK9226-75A

LTC1928ES6-5

SC16C850VIBS

MPC8548EVUAQG

BGSF18DM20

BUK98180-100A

TLV70028DDCR

INA231AIYFFR

5CEBA2F23C8N

VSC8641XJF

HFBR-1524Z

HFBR-2524Z

LFXP2-5E-5TN144C

TPS61061YZFT

S34ML01G100TFI000

RT8514GJ6

STM8S003F3P6TR

LNK302GN

ST72C314J4B6

L6386D

MCHC908QY4CDWE

STM8S103F2P6TR

MC9S08AC32CFGE

NDD04N60ZT4G

TPS5402DR

NCP1207APG

NCP1200P100G

CC2640F128RHBR

R5F364AKNFA

LTC1867ACGN

LT3980EDE

XC7A75T-3FGG676E

30CPQ060

CYWB0124ABX-FDXIT

RTD2668

LM3S1811-IQC50

THGBMBG8D4KBAIR

TC58NVG2S0HBAI4

BAS316

MK10DN512VLK10

RFPA3809

RF5626

SFH421Z

CY8C4125AXI-483

LCMXO2-640HC-4TG100I

PEX8606-BA50BCG

ADV7182WBCPZ

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场效应晶体管IPA60R125P6是深圳市明佳达电子有限公司的主要产品,我们的产品负责人是陈先生,有需要的朋友请直接拨打我的电话0755-83957301,我们的地址是深圳市福田区华强北街道新亚洲国利大厦,期待与您的合作!